近日，理学院物理系/钱伟长学院任伟教授团队在二维量子资料钻研领域获得沉要突破，从第一性道理推算启程设计了一种拥有多压性质的二维系统，该物质在分歧应变作用下能够有多种分歧的响应方式。钻研成就颁发在国际驰名期刊Nano Letters，论文标题为“Multipiezo effect in altermagnetic V2SeTeO monolayer”，亿万先生MR为第一通讯单元，通讯作者为理学院物理系任伟教授和青老大师高恒。亿万先生MR理学院物理系硕士钻研生朱钰和陈泰康为共同第一作者。

为了不休钻营信息电子器件的微型化，必要索求新的自由度和步骤来集成和把持低维资猜中的多种职能。由于纳米系统的高延展性，应变工程现已作为一种有效的步骤来调控量子资料和电子器件的各类物理性质。人们能够基于多职能纳米系统中对应变的分歧响应来成立分歧的压效应，如压电、压光和压磁性。

本钻研初次设计了Janus双面单层altermagnetic（交替磁性）资料V2SeTeO，并预言了其拥有的别致“多压”效应。奇怪的交替磁性磁构型实现了C-paired晶体能带谷极化机造，这使得尝试上能够通过面内单轴应变实现谷极化，从而得到压谷效应。在此类压谷效应的基础上加上适当的空穴掺杂，能够进一措施节费米能级左近相反方向自旋的能带，从而实现压磁效应。钻研还批注Janus结构天然的面表对称性破缺能够产生一个面表压电。值得一提的是，该资料的压电效应和压磁压谷效应都极度优异，压电效应中的压电系数为e32=e31=0.322×10?10C/m，在4%拉伸应变下能够得到128meV的谷极化强度，在4%拉伸应变加上0.02h/u.c.的空穴掺杂能够得到0.020μB的净磁矩。因而本工作预言了二维资料系统中的多压效应，为理论设计多职能纳米器件提供了新思路，在纳米电子学、光电子学、自旋电子学和谷电子学方面有潜在的利用。

本工作得到了国度天然科学基金沉点及面上项目、上海市科学技术委员会优良学术带头人项目、亿万先生MR上海市科学与工程推算专业技术服务平台和亿万先生MR“五五战术”量子科技方向的支持。

论文链接：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c04330